JMTK60N04B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK60N04B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTK60N04B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTK60N04B даташит

 ..1. Size:979K  jiejie micro
 jmtk60n04b.pdf pdf_icon

JMTK60N04B

JMTK60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 60A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMSL0611PP, JMTK480N06A, JMTK500N10A, JMTK50N03A, JMTK50N06B, JMTK50P02A, JMTK50P03A, JMTK58N06B, IRF640N, JMTK70N07A, JMTK75N02A, JMTK80N06A, JMTK90N02A, JMTQ100N03A, JMTQ100N03D, JMTQ100N04A, JMTQ100P03A