JMTK75N02A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTK75N02A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 396 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm

Encapsulados: TO252

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JMTK75N02A datasheet

 ..1. Size:1172K  jiejie micro
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JMTK75N02A

JMTK75N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 75A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1170K  jiejie micro
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JMTK75N02A

68V, 80A, 7.3m N-channel Power Trench MOSFET JMTK70N07A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 68 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 80 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.3 mW Pb-free plating Applications Load Switch PWM Application Power Manag

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