JMTK75N02A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK75N02A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 396 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTK75N02A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTK75N02A даташит

 ..1. Size:1172K  jiejie micro
 jmtk75n02a.pdf pdf_icon

JMTK75N02A

JMTK75N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 75A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1170K  jiejie micro
 jmtk70n07a.pdf pdf_icon

JMTK75N02A

68V, 80A, 7.3m N-channel Power Trench MOSFET JMTK70N07A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 68 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 80 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.3 mW Pb-free plating Applications Load Switch PWM Application Power Manag

Другие IGBT... JMTK500N10A, JMTK50N03A, JMTK50N06B, JMTK50P02A, JMTK50P03A, JMTK58N06B, JMTK60N04B, JMTK70N07A, IRF640N, JMTK80N06A, JMTK90N02A, JMTQ100N03A, JMTQ100N03D, JMTQ100N04A, JMTQ100P03A, JMTQ11DN10A, JMSL0611PU