JMTK80N06A Todos los transistores

 

JMTK80N06A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTK80N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 266 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMTK80N06A datasheet

 ..1. Size:1253K  jiejie micro
 jmtk80n06a.pdf pdf_icon

JMTK80N06A

60V, 80A, 5.4m N-channel Power Trench MOSFET JMTK80N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 80 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S Sch

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History: STT3402N | 5N60L-K08-5060-R | JMSL0613APD | FQP44N08 | VBZE40P03 | JMSL0615PGDQ | JMSL0612AG

 

 
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