Справочник MOSFET. JMTK80N06A

 

JMTK80N06A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTK80N06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 266 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JMTK80N06A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTK80N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1253K  jiejie micro
 jmtk80n06a.pdf pdf_icon

JMTK80N06A

60V, 80A, 5.4m N-channel Power Trench MOSFETJMTK80N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 80 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.4 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SSch

Другие MOSFET... JMTK50N03A , JMTK50N06B , JMTK50P02A , JMTK50P03A , JMTK58N06B , JMTK60N04B , JMTK70N07A , JMTK75N02A , AON6414A , JMTK90N02A , JMTQ100N03A , JMTQ100N03D , JMTQ100N04A , JMTQ100P03A , JMTQ11DN10A , , .

 

 
Back to Top

 


 
.