JMTK80N06A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK80N06A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 266 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTK80N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTK80N06A даташит

 ..1. Size:1253K  jiejie micro
 jmtk80n06a.pdf pdf_icon

JMTK80N06A

60V, 80A, 5.4m N-channel Power Trench MOSFET JMTK80N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 80 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S Sch

Другие IGBT... JMTK50N03A, JMTK50N06B, JMTK50P02A, JMTK50P03A, JMTK58N06B, JMTK60N04B, JMTK70N07A, JMTK75N02A, AON6414A, JMTK90N02A, JMTQ100N03A, JMTQ100N03D, JMTQ100N04A, JMTQ100P03A, JMTQ11DN10A, JMSL0611PU, JMSL0611PUD