JMTK80N06A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTK80N06A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 266 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для JMTK80N06A
JMTK80N06A Datasheet (PDF)
jmtk80n06a.pdf

60V, 80A, 5.4m N-channel Power Trench MOSFETJMTK80N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 80 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.4 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SSch
Другие MOSFET... JMTK50N03A , JMTK50N06B , JMTK50P02A , JMTK50P03A , JMTK58N06B , JMTK60N04B , JMTK70N07A , JMTK75N02A , IRF3710 , JMTK90N02A , JMTQ100N03A , JMTQ100N03D , JMTQ100N04A , JMTQ100P03A , JMTQ11DN10A , JMSL0611PU , JMSL0611PUD .
History: JMSL0612PK | JMSL0612PG | JMSL0611PUD | JMSL06120UQ | JMSL0612AG
History: JMSL0612PK | JMSL0612PG | JMSL0611PUD | JMSL06120UQ | JMSL0612AG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
Popular searches
bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320