JMTQ11DN10A Todos los transistores

 

JMTQ11DN10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTQ11DN10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMTQ11DN10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  jiejie micro
jmtq11dn10a.pdf pdf_icon

JMTQ11DN10A

JMTQ11DN10ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 100V,10A Load SwitchR

 7.1. Size:1355K  jiejie micro
jmtq11dp03a.pdf pdf_icon

JMTQ11DN10A

-30V, -12A, 87m P-channel Power Trench MOSFETJMTQ11DP03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -12 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 62 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 87 mWApplications Load Switch

 9.1. Size:607K  jiejie micro
jmtq120c03d.pdf pdf_icon

JMTQ11DN10A

JMTQ120C03DDescriptionJMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Application N-Channel: 30V, 11A Battery ProtectionR

 9.2. Size:467K  jiejie micro
jmtq130p04a.pdf pdf_icon

JMTQ11DN10A

JMTQ130P04ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V = -40V, I = -30A PWM ApplicationsDS DR

Otros transistores... JMTK70N07A , JMTK75N02A , JMTK80N06A , JMTK90N02A , JMTQ100N03A , JMTQ100N03D , JMTQ100N04A , JMTQ100P03A , IRFB4115 , , , , , , , , .

 

 
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