Справочник MOSFET. JMTQ11DN10A

 

JMTQ11DN10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTQ11DN10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для JMTQ11DN10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ11DN10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  jiejie micro
jmtq11dn10a.pdfpdf_icon

JMTQ11DN10A

JMTQ11DN10ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 100V,10A Load SwitchR

 7.1. Size:1355K  jiejie micro
jmtq11dp03a.pdfpdf_icon

JMTQ11DN10A

-30V, -12A, 87m P-channel Power Trench MOSFETJMTQ11DP03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -12 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 62 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 87 mWApplications Load Switch

 9.1. Size:607K  jiejie micro
jmtq120c03d.pdfpdf_icon

JMTQ11DN10A

JMTQ120C03DDescriptionJMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Application N-Channel: 30V, 11A Battery ProtectionR

 9.2. Size:467K  jiejie micro
jmtq130p04a.pdfpdf_icon

JMTQ11DN10A

JMTQ130P04ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V = -40V, I = -30A PWM ApplicationsDS DR

Другие MOSFET... JMTK70N07A , JMTK75N02A , JMTK80N06A , JMTK90N02A , JMTQ100N03A , JMTQ100N03D , JMTQ100N04A , JMTQ100P03A , IRFB4115 , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.