JMTG60N04B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTG60N04B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0079 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de JMTG60N04B MOSFET
JMTG60N04B datasheet
jmtg60n04b.pdf
JMTG60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 50A Load Switch RDS(ON)
Otros transistores... JMTG3003A , JMTG3005A , JMTG3005B , JMTG3005C , JMTG3008A , JMTG3008D , JMTG320N10A , JMTG4004A , IRF520 , JMTG90N02A , JMSL0615AGD , JMSL0615AGDQ , JMSL0615AP , JMSL0615APD , JMSL0615AUD , JMSL0615AV , JMSL0615PGDQ .
History: 2SJ463 | 2N70K | KMB7D0DN40QB | AGM30P25MBP | RUH85210R | 2SK1522 | 2SJ532
History: 2SJ463 | 2N70K | KMB7D0DN40QB | AGM30P25MBP | RUH85210R | 2SK1522 | 2SJ532
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOK065V65X2 | AOK065V120X2 | AOK033V120X2Q | AOK033V120X2 | AOB380A60L | AOB29S50L | AO3481C | AO3480 | APG068N04Q | APG068N04G | APG060N85D | APG054N10D | APG054N10 | APG050N85D | APG050N85 | APG046N01G
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