JMTG60N04B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTG60N04B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0079 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de JMTG60N04B MOSFET
JMTG60N04B Datasheet (PDF)
jmtg60n04b.pdf
JMTG60N04BDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 40V, 50A Load SwitchRDS(ON)
Otros transistores... JMTG3003A , JMTG3005A , JMTG3005B , JMTG3005C , JMTG3008A , JMTG3008D , JMTG320N10A , JMTG4004A , STF13NM60N , JMTG90N02A , JMSL0615AGD , JMSL0615AGDQ , JMSL0615AP , JMSL0615APD , JMSL0615AUD , JMSL0615AV , JMSL0615PGDQ .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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