JMTG60N04B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTG60N04B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTG60N04B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTG60N04B даташит

 ..1. Size:516K  jiejie micro
 jmtg60n04b.pdf pdf_icon

JMTG60N04B

JMTG60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 50A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMTG3003A, JMTG3005A, JMTG3005B, JMTG3005C, JMTG3008A, JMTG3008D, JMTG320N10A, JMTG4004A, K3569, JMTG90N02A, JMSL0615AGD, JMSL0615AGDQ, JMSL0615AP, JMSL0615APD, JMSL0615AUD, JMSL0615AV, JMSL0615PGDQ