JMTG100C03D Todos los transistores

 

JMTG100C03D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTG100C03D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
 

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JMTG100C03D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:533K  jiejie micro
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JMTG100C03D

JMTG100C03DDescriptionJMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Application N-Channel: 30V, 12A Battery ProtectionR

 7.1. Size:628K  jiejie micro
 jmtg100n03a.pdf pdf_icon

JMTG100C03D

JMTG100N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 30A Load SwitchRDS(ON)

 7.2. Size:1285K  jiejie micro
 jmtg100n06a.pdf pdf_icon

JMTG100C03D

60V, 55A, 8.9m N-channel Power Trench MOSFETJMTG100N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 55 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.7 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.9 mWApplications Load Switch

 7.3. Size:626K  jiejie micro
 jmtg100n04a.pdf pdf_icon

JMTG100C03D

JMTG100N04ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 40V, 40A Load SwitchRDS(ON)

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