JMTG100C03D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTG100C03D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTG100C03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTG100C03D даташит

 ..1. Size:533K  jiejie micro
 jmtg100c03d.pdf pdf_icon

JMTG100C03D

JMTG100C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 12A Battery Protection R

 7.1. Size:628K  jiejie micro
 jmtg100n03a.pdf pdf_icon

JMTG100C03D

JMTG100N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 30A Load Switch RDS(ON)

 7.2. Size:1285K  jiejie micro
 jmtg100n06a.pdf pdf_icon

JMTG100C03D

60V, 55A, 8.9m N-channel Power Trench MOSFET JMTG100N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 60 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 55 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.7 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.9 mW Applications Load Switch

 7.3. Size:626K  jiejie micro
 jmtg100n04a.pdf pdf_icon

JMTG100C03D

JMTG100N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 40A Load Switch RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSL1008AG, JMSL1008AGQ, JMTG060P03A, JMTG062N04D, JMTG070N06A, JMTG075C03D, JMTG080N04D, JMTG080P03A, 7N65, JMTG100N03A, JMTG100N04A, JMTG100N06A, JMTG100N06D, JMTG100P03A, JMSL1008AK, JMSL1008AKQ, JMSL1008AP