Справочник MOSFET. JMTG100C03D

 

JMTG100C03D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTG100C03D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D
 

 Аналог (замена) для JMTG100C03D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTG100C03D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:533K  jiejie micro
 jmtg100c03d.pdf pdf_icon

JMTG100C03D

JMTG100C03DDescriptionJMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Application N-Channel: 30V, 12A Battery ProtectionR

 7.1. Size:628K  jiejie micro
 jmtg100n03a.pdf pdf_icon

JMTG100C03D

JMTG100N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 30A Load SwitchRDS(ON)

 7.2. Size:1285K  jiejie micro
 jmtg100n06a.pdf pdf_icon

JMTG100C03D

60V, 55A, 8.9m N-channel Power Trench MOSFETJMTG100N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 55 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.7 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.9 mWApplications Load Switch

 7.3. Size:626K  jiejie micro
 jmtg100n04a.pdf pdf_icon

JMTG100C03D

JMTG100N04ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 40V, 40A Load SwitchRDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSL1008AG , JMSL1008AGQ , JMTG060P03A , JMTG062N04D , JMTG070N06A , JMTG075C03D , JMTG080N04D , JMTG080P03A , STP75NF75 , JMTG100N03A , JMTG100N04A , JMTG100N06A , JMTG100N06D , JMTG100P03A , JMSL1008AK , JMSL1008AKQ , JMSL1008AP .

 

 
Back to Top

 


 
.