SLB60R105E7D Todos los transistores

 

SLB60R105E7D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLB60R105E7D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 155 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SLB60R105E7D Datasheet (PDF)

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SLB60R105E7D

SLB60R105E7D600V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFETGeneral Description FeaturesThis power MOSFET is produced by using Msemiteks ad- 29A, 600V, RDS(on),Typ = 89mvanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 61nC)technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggednessresistance, provide superior switchin

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