SLB60R105E7D - описание и поиск аналогов

SLB60R105E7D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLB60R105E7D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 155 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TO263

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам