SLB65R380E7C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLB65R380E7C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 102.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de SLB65R380E7C MOSFET
SLB65R380E7C Datasheet (PDF)
slb65r380e7c.pdf

SLB65R380E7C650V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFETGeneral Description FeaturesThis power MOSFET is produced by using Msemiteks ad- 11A, 650V, RDS(on),Typ = 320mvanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 22nC)technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggednessresistance, provide superior switchi
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