SLB65R380E7C - аналоги и даташиты транзистора

 

SLB65R380E7C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SLB65R380E7C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SLB65R380E7C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLB65R380E7C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2968K  maple semi
slb65r380e7c.pdfpdf_icon

SLB65R380E7C

SLB65R380E7C650V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFETGeneral Description FeaturesThis power MOSFET is produced by using Msemiteks ad- 11A, 650V, RDS(on),Typ = 320mvanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 22nC)technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggednessresistance, provide superior switchi

Другие MOSFET... JVC103K , JVC103T , JVC105E , JVC113T , JVC502E , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , IRF1405 , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB .

History: SLD110N02TB

 

 
Back to Top

 


 
.