SLB65R380E7C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SLB65R380E7C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SLB65R380E7C
SLB65R380E7C Datasheet (PDF)
slb65r380e7c.pdf

SLB65R380E7C650V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFETGeneral Description FeaturesThis power MOSFET is produced by using Msemiteks ad- 11A, 650V, RDS(on),Typ = 320mvanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 22nC)technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggednessresistance, provide superior switchi
Другие MOSFET... JVC103K , JVC103T , JVC105E , JVC113T , JVC502E , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , IRF1405 , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB .
History: SLD110N02TB
History: SLD110N02TB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG130N06NF | APG130N06D | APG120N12NF | APG120N10NF | APG110N10NF | APG100N10D | AP9P20D | AP9N20Y | AP9N20P | AP9N20D | AP9928A | AP9926A | AP9435A | AP90P03NF | AP90P01D | AP90N06F
Popular searches
2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor