SLB65R380E7C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SLB65R380E7C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SLB65R380E7C
SLB65R380E7C Datasheet (PDF)
slb65r380e7c.pdf
SLB65R380E7C650V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFETGeneral Description FeaturesThis power MOSFET is produced by using Msemiteks ad- 11A, 650V, RDS(on),Typ = 320mvanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 22nC)technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggednessresistance, provide superior switchi
Другие MOSFET... JVC103K , JVC103T , JVC105E , JVC113T , JVC502E , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , STP65NF06 , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB .
History: SLD07RN10G | SLF65R1K2E7 | WMJ36N60C4 | SLF70R280E7C | JVC502E | SLF65R280E7C | SLF65R380E7C
History: SLD07RN10G | SLF65R1K2E7 | WMJ36N60C4 | SLF70R280E7C | JVC502E | SLF65R280E7C | SLF65R380E7C
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor


