SLB65R380E7C - описание и поиск аналогов

 

SLB65R380E7C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLB65R380E7C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SLB65R380E7C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLB65R380E7C даташит

 ..1. Size:2968K  maple semi
slb65r380e7c.pdfpdf_icon

SLB65R380E7C

SLB65R380E7C 650V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFET General Description Features This power MOSFET is produced by using Msemitek s ad- 11A, 650V, RDS(on),Typ = 320m vanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 22nC) technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggedness resistance, provide superior switchi

Другие MOSFET... JVC103K , JVC103T , JVC105E , JVC113T , JVC502E , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , STP65NF06 , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.