SLC013RN06G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLC013RN06G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 155 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1902 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00155 Ohm
Encapsulados: TOLL
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SLC013RN06G datasheet
slc013rn06g.pdf
SLC013RN06G 60V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced 300A*, 60V, RDS(on),typ =1.3m Shielding Gate MOSFET technology This advanced technol- Low gate charge (Qg,typ = 94nC) ogy has been especially tailored to minimize on-state resis- Fast switching tance, provide superior switching performance, and withstand
Otros transistores... JVC103T , JVC105E , JVC113T , JVC502E , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , IRF1405 , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 .
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Liste
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