SLC013RN06G Todos los transistores

 

SLC013RN06G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLC013RN06G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 155 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1902 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00155 Ohm

Encapsulados: TOLL

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SLC013RN06G datasheet

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SLC013RN06G

SLC013RN06G 60V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced 300A*, 60V, RDS(on),typ =1.3m Shielding Gate MOSFET technology This advanced technol- Low gate charge (Qg,typ = 94nC) ogy has been especially tailored to minimize on-state resis- Fast switching tance, provide superior switching performance, and withstand

Otros transistores... JVC103T , JVC105E , JVC113T , JVC502E , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , IRF1405 , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 .

 

 

 

 

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