SLC013RN06G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLC013RN06G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 155 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1902 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00155 Ohm
Paquete / Cubierta: TOLL
Búsqueda de reemplazo de SLC013RN06G MOSFET
SLC013RN06G Datasheet (PDF)
slc013rn06g.pdf

SLC013RN06G60V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 300A*, 60V, RDS(on),typ =1.3mShielding Gate MOSFET technology This advanced technol- Low gate charge (Qg,typ = 94nC)ogy has been especially tailored to minimize on-state resis- Fast switchingtance, provide superior switching performance, and withstand
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Liste
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