SLC013RN06G Todos los transistores

 

SLC013RN06G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLC013RN06G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 155 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1902 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00155 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
 

 Búsqueda de reemplazo de SLC013RN06G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SLC013RN06G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7411K  maple semi
slc013rn06g.pdf pdf_icon

SLC013RN06G

SLC013RN06G60V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 300A*, 60V, RDS(on),typ =1.3mShielding Gate MOSFET technology This advanced technol- Low gate charge (Qg,typ = 94nC)ogy has been especially tailored to minimize on-state resis- Fast switchingtance, provide superior switching performance, and withstand

Otros transistores... JVC103T , JVC105E , JVC113T , JVC502E , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , IRF9640 , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 .

 

 
Back to Top

 


 
.