SLC013RN06G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SLC013RN06G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 155 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1902 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00155 Ohm
Тип корпуса: TOLL
Аналог (замена) для SLC013RN06G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SLC013RN06G даташит
slc013rn06g.pdf
SLC013RN06G 60V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced 300A*, 60V, RDS(on),typ =1.3m Shielding Gate MOSFET technology This advanced technol- Low gate charge (Qg,typ = 94nC) ogy has been especially tailored to minimize on-state resis- Fast switching tance, provide superior switching performance, and withstand
Другие MOSFET... JVC103T , JVC105E , JVC113T , JVC502E , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , IRF1405 , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor

