SLC013RN06G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SLC013RN06G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 155 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1902 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00155 Ohm
Тип корпуса: TOLL
Аналог (замена) для SLC013RN06G
SLC013RN06G Datasheet (PDF)
slc013rn06g.pdf
SLC013RN06G60V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 300A*, 60V, RDS(on),typ =1.3mShielding Gate MOSFET technology This advanced technol- Low gate charge (Qg,typ = 94nC)ogy has been especially tailored to minimize on-state resis- Fast switchingtance, provide superior switching performance, and withstand
Другие MOSFET... JVC103T , JVC105E , JVC113T , JVC502E , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , IRF1405 , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 .
History: SLD07RN10G | SLD110N02TB | WMJ36N60C4 | SLF65R380E7C | SLF70R280E7C
History: SLD07RN10G | SLD110N02TB | WMJ36N60C4 | SLF65R380E7C | SLF70R280E7C
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor


