SLC013RN06G - описание и поиск аналогов

 

SLC013RN06G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLC013RN06G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 155 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1902 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00155 Ohm

Тип корпуса: TOLL

Аналог (замена) для SLC013RN06G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLC013RN06G даташит

 ..1. Size:7411K  maple semi
slc013rn06g.pdfpdf_icon

SLC013RN06G

SLC013RN06G 60V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced 300A*, 60V, RDS(on),typ =1.3m Shielding Gate MOSFET technology This advanced technol- Low gate charge (Qg,typ = 94nC) ogy has been especially tailored to minimize on-state resis- Fast switching tance, provide superior switching performance, and withstand

Другие MOSFET... JVC103T , JVC105E , JVC113T , JVC502E , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , IRF1405 , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.