SLC013RN06G - аналоги и даташиты транзистора

 

SLC013RN06G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SLC013RN06G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 155 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1902 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00155 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для SLC013RN06G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLC013RN06G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7411K  maple semi
slc013rn06g.pdfpdf_icon

SLC013RN06G

SLC013RN06G60V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 300A*, 60V, RDS(on),typ =1.3mShielding Gate MOSFET technology This advanced technol- Low gate charge (Qg,typ = 94nC)ogy has been especially tailored to minimize on-state resis- Fast switchingtance, provide superior switching performance, and withstand

Другие MOSFET... JVC103T , JVC105E , JVC113T , JVC502E , SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , IRF9640 , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 .

 

 
Back to Top

 


 
.