SLD07RN10G Todos los transistores

 

SLD07RN10G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLD07RN10G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 144 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 155 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1035 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SLD07RN10G Datasheet (PDF)

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SLD07RN10G

SLD07RN10G100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 95A, 100V, RDS(on),typ =7.2mShielding Gate MOSFET technology This advanced technol- Low gate charge (Qg,typ = 33nC)ogy has been especially tailored to minimize on-state resis- Fast switchingtance, provide superior switching performance, and withstand

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