SLD07RN10G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLD07RN10G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 144 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 155 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1035 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SLD07RN10G MOSFET
SLD07RN10G Datasheet (PDF)
sld07rn10g.pdf
SLD07RN10G100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 95A, 100V, RDS(on),typ =7.2mShielding Gate MOSFET technology This advanced technol- Low gate charge (Qg,typ = 33nC)ogy has been especially tailored to minimize on-state resis- Fast switchingtance, provide superior switching performance, and withstand
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Liste
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