SLD07RN10G - описание и поиск аналогов

SLD07RN10G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLD07RN10G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 155 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1035 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: TO252

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам