SLD120N03TB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLD120N03TB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 111 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
Encapsulados: TO252
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SLD120N03TB datasheet
sld120n03tb.pdf
SLD120N03TB 30V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced 111A, 30V, RDS(on),Typ = 2.5m TRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 65nC) pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switching switching performance, and withstand high energy pulse in
Otros transistores... SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , IRF830 , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 , 24N6LG , 2SK737 , STF4N90K5 , SLF4N65SV .
History: SLD65R1K2E7
History: SLD65R1K2E7
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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