SLD120N03TB - описание и поиск аналогов

 

SLD120N03TB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLD120N03TB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 111 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SLD120N03TB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLD120N03TB даташит

 ..1. Size:4803K  maple semi
sld120n03tb.pdfpdf_icon

SLD120N03TB

SLD120N03TB 30V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced 111A, 30V, RDS(on),Typ = 2.5m TRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 65nC) pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switching switching performance, and withstand high energy pulse in

Другие MOSFET... SLA08N10G , SLA10N03T , SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , IRF830 , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 , 24N6LG , 2SK737 , STF4N90K5 , SLF4N65SV .

History: SLF65R180E7C | 60N10I

 

 

 

 

↑ Back to Top
.