SLD40N03TB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLD40N03TB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SLD40N03TB MOSFET
SLD40N03TB Datasheet (PDF)
sld40n03tb.pdf

SLD40N03TB30V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 48.6A, 30V, RDS(on),Typ = 6mTRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 24nC)pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switchingswitching performance, and withstand high energy pulse in t
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History: SLD140N03TB
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