SLD40N03TB Todos los transistores

 

SLD40N03TB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLD40N03TB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SLD40N03TB Datasheet (PDF)

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SLD40N03TB

SLD40N03TB30V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 48.6A, 30V, RDS(on),Typ = 6mTRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 24nC)pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switchingswitching performance, and withstand high energy pulse in t

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History: SLD140N03TB

 

 
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