SLD40N03TB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLD40N03TB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: TO252
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SLD40N03TB datasheet
sld40n03tb.pdf
SLD40N03TB 30V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced 48.6A, 30V, RDS(on),Typ = 6m TRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 24nC) pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switching switching performance, and withstand high energy pulse in t
Otros transistores... SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , IRF9640 , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 , 24N6LG , 2SK737 , STF4N90K5 , SLF4N65SV , SLF65R180E7C , SLF65R1K2E7 .
History: SLD65R1K2E7
History: SLD65R1K2E7
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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