SLD40N03TB Todos los transistores

 

SLD40N03TB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLD40N03TB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO252

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SLD40N03TB datasheet

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SLD40N03TB

SLD40N03TB 30V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced 48.6A, 30V, RDS(on),Typ = 6m TRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 24nC) pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switching switching performance, and withstand high energy pulse in t

Otros transistores... SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , IRF9640 , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 , 24N6LG , 2SK737 , STF4N90K5 , SLF4N65SV , SLF65R180E7C , SLF65R1K2E7 .

History: SLD65R1K2E7

 

 

 


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