SLD40N03TB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SLD40N03TB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 134 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SLD40N03TB
SLD40N03TB Datasheet (PDF)
sld40n03tb.pdf
SLD40N03TB30V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 48.6A, 30V, RDS(on),Typ = 6mTRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 24nC)pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switchingswitching performance, and withstand high energy pulse in t
Другие MOSFET... SLB60R105E7D , SLB65R380E7C , SLC013RN06G , SLD07RN10G , SLD10N65U , SLD110N02TB , SLD120N03TB , SLD140N03TB , IRF9640 , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 , 24N6LG , 2SK737 , STF4N90K5 , SLF4N65SV , SLF65R180E7C , SLF65R1K2E7 .
History: WMN08N65C4 | WMK26N60F2 | WMLL020N08HGS | WML07N70C4 | 24N6LG | SLD65R1K2E7 | WMM037N10HGS
History: WMN08N65C4 | WMK26N60F2 | WMLL020N08HGS | WML07N70C4 | 24N6LG | SLD65R1K2E7 | WMM037N10HGS
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013


