SLF4N65SV Todos los transistores

 

SLF4N65SV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLF4N65SV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 155 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SLF4N65SV Datasheet (PDF)

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SLF4N65SV

SLF4N65SV650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 4A*, 650V, RDS(on),typ =2.38planar stripe DMOS technology. This advanced technology Low gate charge (Qg,typ = 13nC)has been especially tailored to minimize conduction loss, pro- Fast switchingvide superior switching performance, and withstand high en-

Otros transistores... SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 , 24N6LG , 2SK737 , STF4N90K5 , STP65NF06 , SLF65R180E7C , SLF65R1K2E7 , SLF65R280E7C , SLF65R380E7C , SLF65R600E7C , SLF70R280E7C , SLF70R380E7C , SLF80R830GT .

 

 
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