SLF4N65SV - описание и поиск аналогов

 

SLF4N65SV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLF4N65SV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 155 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SLF4N65SV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLF4N65SV даташит

 ..1. Size:2070K  maple semi
 slf4n65sv.pdf pdf_icon

SLF4N65SV

SLF4N65SV 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced 4A*, 650V, RDS(on),typ =2.38 planar stripe DMOS technology. This advanced technology Low gate charge (Qg,typ = 13nC) has been especially tailored to minimize conduction loss, pro- Fast switching vide superior switching performance, and withstand high en-

Другие MOSFET... SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 , 24N6LG , 2SK737 , STF4N90K5 , MMIS60R580P , SLF65R180E7C , SLF65R1K2E7 , SLF65R280E7C , SLF65R380E7C , SLF65R600E7C , SLF70R280E7C , SLF70R380E7C , SLF80R830GT .

History: B110N04

 

 

 

 

↑ Back to Top
.