SLF4N65SV - аналоги и даташиты транзистора

 

SLF4N65SV - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SLF4N65SV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 155 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SLF4N65SV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLF4N65SV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2070K  maple semi
 slf4n65sv.pdf pdf_icon

SLF4N65SV

SLF4N65SV650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 4A*, 650V, RDS(on),typ =2.38planar stripe DMOS technology. This advanced technology Low gate charge (Qg,typ = 13nC)has been especially tailored to minimize conduction loss, pro- Fast switchingvide superior switching performance, and withstand high en-

Другие MOSFET... SLD120N03TB , SLD140N03TB , SLD40N03TB , SLD60N04TB , SLD65R1K2E7 , 24N6LG , 2SK737 , STF4N90K5 , STP65NF06 , SLF65R180E7C , SLF65R1K2E7 , SLF65R280E7C , SLF65R380E7C , SLF65R600E7C , SLF70R280E7C , SLF70R380E7C , SLF80R830GT .

 

 
Back to Top

 


 
.