DMG6402LDM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMG6402LDM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.9 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 9.2 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 386 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT26
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMG6402LDM
DMG6402LDM Datasheet (PDF)
dmg6402ldm.pdf
DMG6402LDMN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low RDS(ON) Case: SOT-26 Case Material - Molded Plastic. UL Flammability Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Fast Switching Speed Terminals: Finish - Matte Tin Solderable per MIL-S
dmg6402lvt.pdf
DMG6402LVT30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25C Low On-Resistance Fast Switching Speed 30m @ VGS = 10V 6A 30V Totally Lead-Free Finish; RoHS compliant (Note 1 & 2) 42m @ VGS = 4.5V 5A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
