Справочник MOSFET. DMG6402LDM

 

DMG6402LDM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG6402LDM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG6402LDM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  diodes
 dmg6402ldm.pdf pdf_icon

DMG6402LDM

DMG6402LDMN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low RDS(ON) Case: SOT-26 Case Material - Molded Plastic. UL Flammability Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Fast Switching Speed Terminals: Finish - Matte Tin Solderable per MIL-S

 6.1. Size:221K  diodes
 dmg6402lvt.pdf pdf_icon

DMG6402LDM

DMG6402LVT30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25C Low On-Resistance Fast Switching Speed 30m @ VGS = 10V 6A 30V Totally Lead-Free Finish; RoHS compliant (Note 1 & 2) 42m @ VGS = 4.5V 5A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | STD3N30T4 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13

 

 
Back to Top

 


 
.