DMG6402LDM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DMG6402LDM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: SOT26
Аналог (замена) для DMG6402LDM
DMG6402LDM Datasheet (PDF)
dmg6402ldm.pdf

DMG6402LDMN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low RDS(ON) Case: SOT-26 Case Material - Molded Plastic. UL Flammability Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Fast Switching Speed Terminals: Finish - Matte Tin Solderable per MIL-S
dmg6402lvt.pdf

DMG6402LVT30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25C Low On-Resistance Fast Switching Speed 30m @ VGS = 10V 6A 30V Totally Lead-Free Finish; RoHS compliant (Note 1 & 2) 42m @ VGS = 4.5V 5A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified
Другие MOSFET... DMG4466SSSL , DMG4468LFG , DMG4468LK3 , DMG4496SSS , DMG4800LFG , DMG4800LK3 , DMG4800LSD , DMG4822SSD , IRF9540N , DMG8880LK3 , DMG8880LSS , DMN100 , DMN2600UFB , DMN3005LK3 , DMN3007LSS , DMN3010LSS , DMN3020LK3 .
History: SI4904DY | TPCA8025 | GP1M008A050XG | SI4909DY | APT84F50L | HCS65R210ST | PNMTOF600V4
History: SI4904DY | TPCA8025 | GP1M008A050XG | SI4909DY | APT84F50L | HCS65R210ST | PNMTOF600V4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645