DMG6402LDM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMG6402LDM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для DMG6402LDM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG6402LDM даташит

 ..1. Size:156K  diodes
 dmg6402ldm.pdf pdf_icon

DMG6402LDM

DMG6402LDM N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low RDS(ON) Case SOT-26 Case Material - Molded Plastic. UL Flammability Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Fast Switching Speed Terminals Finish - Matte Tin Solderable per MIL-S

 6.1. Size:221K  diodes
 dmg6402lvt.pdf pdf_icon

DMG6402LDM

DMG6402LVT 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25 C Low On-Resistance Fast Switching Speed 30m @ VGS = 10V 6A 30V Totally Lead-Free Finish; RoHS compliant (Note 1 & 2) 42m @ VGS = 4.5V 5A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified

Другие IGBT... DMG4466SSSL, DMG4468LFG, DMG4468LK3, DMG4496SSS, DMG4800LFG, DMG4800LK3, DMG4800LSD, DMG4822SSD, SPP20N60C3, DMG8880LK3, DMG8880LSS, DMN100, DMN2600UFB, DMN3005LK3, DMN3007LSS, DMN3010LSS, DMN3020LK3