SLP730S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLP730S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 99 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SLP730S MOSFET
SLP730S Datasheet (PDF)
slp730s.pdf
SLP730S400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 5.9A, 400V, RDS(on),typ =0.96planar stripe DMOS technology. This advanced technology Low gate charge (Qg,typ = 8nC)has been especially tailored to minimize conduction loss, pro- Fast switchingvide superior switching performance, and withstand high en-
Otros transistores... SLF80R830GT , SLF8N65SV , SLM120N06G , SLM150N04G , SLM160N04G , SLP65R180E7C , SLP65R1K2E7 , SLP65R380E7C , IRFZ44 , SLT65R180E7C , SLT70R180E7C , SLU4N65U , SLD65R280E7C , SLD65R380E7C , SLD65R600E7C , SLD80N02TB , SLD8N50UD .
History: SLD8N50UD | SM1F15NSV | WMQ023N03LG2 | QM3098M6 | IRFB4710PBF
History: SLD8N50UD | SM1F15NSV | WMQ023N03LG2 | QM3098M6 | IRFB4710PBF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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