SLP730S - аналоги и даташиты транзистора

 

SLP730S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SLP730S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 99 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SLP730S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP730S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4345K  maple semi
 slp730s.pdf pdf_icon

SLP730S

SLP730S400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 5.9A, 400V, RDS(on),typ =0.96planar stripe DMOS technology. This advanced technology Low gate charge (Qg,typ = 8nC)has been especially tailored to minimize conduction loss, pro- Fast switchingvide superior switching performance, and withstand high en-

Другие MOSFET... SLF80R830GT , SLF8N65SV , SLM120N06G , SLM150N04G , SLM160N04G , SLP65R180E7C , SLP65R1K2E7 , SLP65R380E7C , IRF640 , SLT65R180E7C , SLT70R180E7C , SLU4N65U , SLD65R280E7C , SLD65R380E7C , SLD65R600E7C , SLD80N02TB , SLD8N50UD .

 

 
Back to Top

 


 
.