SLT70R180E7C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLT70R180E7C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 205 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: PTO252
Búsqueda de reemplazo de SLT70R180E7C MOSFET
SLT70R180E7C Datasheet (PDF)
slt70r180e7c.pdf

SLT70R180E7C700V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFETGeneral Description FeaturesThis power MOSFET is produced by using Msemiteks ad- 22A, 700V, RDS(on),Typ = 150mvanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 34nC)technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggednessresistance, provide superior switchi
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History: IRF7205 | SLD65R380E7C | SLD65R280E7C | IRF7809 | SLD8N65SV | H7N0312LM | IRF7663
History: IRF7205 | SLD65R380E7C | SLD65R280E7C | IRF7809 | SLD8N65SV | H7N0312LM | IRF7663



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP3409MI | AP3407MI | AP3407AI | AP3404BI | AP3401MI | AP3401AI | AP3400MI-L | AP3400DI | AP3400CI | AP3400BI | AP3400AI | AP320N04TLG5 | AP30P10P | AP30P06D | AP30P03DF | AP13P20D
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