SLT70R180E7C Todos los transistores

 

SLT70R180E7C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLT70R180E7C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 205 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: PTO252

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SLT70R180E7C datasheet

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SLT70R180E7C

SLT70R180E7C 700V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFET General Description Features This power MOSFET is produced by using Msemitek s ad- 22A, 700V, RDS(on),Typ = 150m vanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 34nC) technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggedness resistance, provide superior switchi

Otros transistores... SLM120N06G , SLM150N04G , SLM160N04G , SLP65R180E7C , SLP65R1K2E7 , SLP65R380E7C , SLP730S , SLT65R180E7C , IRF1404 , SLU4N65U , SLD65R280E7C , SLD65R380E7C , SLD65R600E7C , SLD80N02TB , SLD8N50UD , SLD8N65SV , SLD90N02TB .

History: CS100N08A8 | MDU1532SURH | FDMS3602S | AGM406MNA | IRLR120PBF | AOD2544 | BUZ11S2FI

 

 

 

 

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