SLT70R180E7C - описание и поиск аналогов

 

SLT70R180E7C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLT70R180E7C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: PTO252

Аналог (замена) для SLT70R180E7C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLT70R180E7C даташит

 ..1. Size:6464K  maple semi
slt70r180e7c.pdfpdf_icon

SLT70R180E7C

SLT70R180E7C 700V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFET General Description Features This power MOSFET is produced by using Msemitek s ad- 22A, 700V, RDS(on),Typ = 150m vanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 34nC) technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggedness resistance, provide superior switchi

Другие MOSFET... SLM120N06G , SLM150N04G , SLM160N04G , SLP65R180E7C , SLP65R1K2E7 , SLP65R380E7C , SLP730S , SLT65R180E7C , IRF1404 , SLU4N65U , SLD65R280E7C , SLD65R380E7C , SLD65R600E7C , SLD80N02TB , SLD8N50UD , SLD8N65SV , SLD90N02TB .

History: 2SK1154 | AOL1444 | FIR4N65F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.