MD100N20 Todos los transistores

 

MD100N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MD100N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 390 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 968 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO247

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MD100N20 datasheet

 ..1. Size:775K  cn minos
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MD100N20

Description MD100N20 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, High speed switching and general purpose application General Features V =200V,I = 100A RDS(ON)

 9.1. Size:1241K  magnachip
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MD100N20

MPMD100B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-3 package BVCES= 1200V Low Conduction Loss VCE(sat) = 2.7V (typ.) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated Min. 10us at TC=100 Isolation Type Packa

Otros transistores... SLF16N65S , SLF95R760GTZ , SLH10RN20T , SLH60R043E7D , SLH60R075GTDI , SLH65R180E7C , SLH95R130GTZ , SLI13N50C , IRF9540N , MD20N50 , MD25N50 , MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P .

History: FDS4141 | FDS8880 | AP4800AGM | RDD020N60 | SPE4N65G | S60N15S | IRLML6246TRPBF

 

 

 

 

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