MD100N20 - описание и поиск аналогов

 

MD100N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MD100N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 968 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для MD100N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MD100N20 даташит

 ..1. Size:775K  cn minos
 md100n20.pdf pdf_icon

MD100N20

Description MD100N20 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, High speed switching and general purpose application General Features V =200V,I = 100A RDS(ON)

 9.1. Size:1241K  magnachip
 mpmd100b120rh.pdf pdf_icon

MD100N20

MPMD100B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-3 package BVCES= 1200V Low Conduction Loss VCE(sat) = 2.7V (typ.) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated Min. 10us at TC=100 Isolation Type Packa

Другие MOSFET... SLF16N65S , SLF95R760GTZ , SLH10RN20T , SLH60R043E7D , SLH60R075GTDI , SLH65R180E7C , SLH95R130GTZ , SLI13N50C , IRF9540N , MD20N50 , MD25N50 , MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.