MD100N20 - аналоги и даташиты транзистора

 

MD100N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MD100N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 968 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для MD100N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MD100N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:775K  cn minos
 md100n20.pdf pdf_icon

MD100N20

DescriptionMD100N20 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, isobtained by advanced MOSFET technology which reduce theconduction loss, improve switching performance and enhancethe avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS,High speed switching and general purpose applicationGeneral Features V =200V,I = 100A RDS(ON)

 9.1. Size:1241K  magnachip
 mpmd100b120rh.pdf pdf_icon

MD100N20

MPMD100B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChips IGBT Module 7DM-3 package BVCES= 1200V Low Conduction Loss : VCE(sat) = 2.7V (typ.) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 Isolation Type Packa

Другие MOSFET... SLF16N65S , SLF95R760GTZ , SLH10RN20T , SLH60R043E7D , SLH60R075GTDI , SLH65R180E7C , SLH95R130GTZ , SLI13N50C , K4145 , MD20N50 , MD25N50 , MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P .

History: FMR28N50ES | IXFK520N075T2 | IRF540S | MDD9N40RH | MD50N20 | SLH10RN20T | IRF3205Z

 

 
Back to Top

 


 
.