MPG08N68S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPG08N68S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Encapsulados: TO263
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MPG08N68S datasheet
mpg08n68p mpg08n68s.pdf
68V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG08N68 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Schematic diagram V = 68V,I = 100A DS D R
mpg08n68s mpg08n68p.pdf
68V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG08N68 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Schematic diagram V = 68V,I = 100A DS D R
Otros transistores... MD20N50 , MD25N50 , MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P , K4145 , MPG120N06P , MPG120N06S , MPG150N10P , MPG150N10S , MPT035N08P , MPT035N08S , FTP06N06N , MD40N50 .
History: P0403BDA
History: P0403BDA
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