MPG08N68S Todos los transistores

 

MPG08N68S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPG08N68S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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MPG08N68S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  cn minos
 mpg08n68p mpg08n68s.pdf pdf_icon

MPG08N68S

68V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG08N68 uses advanced trench technologyto provide excellent R , low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICSSchematic diagram V = 68V,I = 100ADS D R

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History: IXTP70N075T2 | IXTP70N085T | IRFP3077 | IRF8714

 

 
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