MPG08N68S - описание и поиск аналогов

 

MPG08N68S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPG08N68S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для MPG08N68S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG08N68S даташит

 ..1. Size:612K  cn minos
 mpg08n68p mpg08n68s.pdf pdf_icon

MPG08N68S

68V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG08N68 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Schematic diagram V = 68V,I = 100A DS D R

 ..2. Size:612K  cn minos
 mpg08n68s mpg08n68p.pdf pdf_icon

MPG08N68S

68V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG08N68 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Schematic diagram V = 68V,I = 100A DS D R

Другие MOSFET... MD20N50 , MD25N50 , MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P , K4145 , MPG120N06P , MPG120N06S , MPG150N10P , MPG150N10S , MPT035N08P , MPT035N08S , FTP06N06N , MD40N50 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.