MPG08N68S - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG08N68S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG08N68S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для MPG08N68S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG08N68S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  cn minos
 mpg08n68p mpg08n68s.pdf pdf_icon

MPG08N68S

68V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG08N68 uses advanced trench technologyto provide excellent R , low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICSSchematic diagram V = 68V,I = 100ADS D R

Другие MOSFET... MD20N50 , MD25N50 , MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P , IRFB3607 , MPG120N06P , MPG120N06S , MPG150N10P , MPG150N10S , MPT035N08P , MPT035N08S , , .

History: SSH7N80A | IXTP70N085T | IRF8714 | IRFP3077

 

 
Back to Top

 


 
.