MPG120N06S Todos los transistores

 

MPG120N06S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPG120N06S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 143 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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MPG120N06S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:929K  cn minos
 mpg120n06p mpg120n06s.pdf pdf_icon

MPG120N06S

60V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG120N06 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON)in a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 60V,I =120ADS DR

Otros transistores... MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P , MPG08N68S , MPG120N06P , RFP50N06 , MPG150N10P , MPG150N10S , MPT035N08P , MPT035N08S , , , , .

History: SML40M42BFN | IXTP6N100D2 | IXTP64N055T | MPG150N10P | MPG120N06P | MPG08N68P | MPG150N10S

 

 
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