MPG120N06S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MPG120N06S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для MPG120N06S
MPG120N06S Datasheet (PDF)
mpg120n06p mpg120n06s.pdf

60V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG120N06 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON)in a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 60V,I =120ADS DR
Другие MOSFET... MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P , MPG08N68S , MPG120N06P , 5N60 , MPG150N10P , MPG150N10S , MPT035N08P , MPT035N08S , FTP06N06N , MD40N50 , MD50N50 , MDT35P10D .
History: SSF2316E | ELM544539A | 35N06 | FDS6990AS | WMB014N06LG4 | IPS06N03LA | FDS8878
History: SSF2316E | ELM544539A | 35N06 | FDS6990AS | WMB014N06LG4 | IPS06N03LA | FDS8878



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c