MPG120N06S - описание и поиск аналогов

 

MPG120N06S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPG120N06S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для MPG120N06S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG120N06S даташит

 ..1. Size:929K  cn minos
 mpg120n06p mpg120n06s.pdf pdf_icon

MPG120N06S

60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG120N06 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used DS(ON) in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 60V,I =120A DS D R

Другие MOSFET... MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P , MPG08N68S , MPG120N06P , AON7410 , MPG150N10P , MPG150N10S , MPT035N08P , MPT035N08S , FTP06N06N , MD40N50 , MD50N50 , MDT35P10D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.