MPG120N06S - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG120N06S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG120N06S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для MPG120N06S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG120N06S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:929K  cn minos
 mpg120n06p mpg120n06s.pdf pdf_icon

MPG120N06S

60V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG120N06 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON)in a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 60V,I =120ADS DR

Другие MOSFET... MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P , MPG08N68S , MPG120N06P , RFP50N06 , MPG150N10P , MPG150N10S , MPT035N08P , MPT035N08S , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.