MPG150N10S Todos los transistores

 

MPG150N10S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPG150N10S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 211 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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MPG150N10S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1048K  cn minos
 mpg150n10p mpg150n10s.pdf pdf_icon

MPG150N10S

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG150N10 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be used in aDS(ON)wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 150A R

Otros transistores... MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P , MPG08N68S , MPG120N06P , MPG120N06S , MPG150N10P , 5N65 , MPT035N08P , MPT035N08S , FTP06N06N , MD40N50 , MD50N50 , MDT35P10D , MDT40P10D , MDT80N06D .

 

 
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