MPG150N10S - описание и поиск аналогов

 

MPG150N10S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPG150N10S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 211 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для MPG150N10S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG150N10S даташит

 ..1. Size:1048K  cn minos
 mpg150n10p mpg150n10s.pdf pdf_icon

MPG150N10S

100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG150N10 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in a DS(ON) wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 150A R

Другие MOSFET... MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P , MPG08N68S , MPG120N06P , MPG120N06S , MPG150N10P , 5N65 , MPT035N08P , MPT035N08S , FTP06N06N , MD40N50 , MD50N50 , MDT35P10D , MDT40P10D , MDT80N06D .

History: AP50T03GH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.