MPG150N10S - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG150N10S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG150N10S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 211 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для MPG150N10S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG150N10S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1048K  cn minos
 mpg150n10p mpg150n10s.pdf pdf_icon

MPG150N10S

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG150N10 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be used in aDS(ON)wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 150A R

Другие MOSFET... MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P , MPG08N68S , MPG120N06P , MPG120N06S , MPG150N10P , 4435 , MPT035N08P , MPT035N08S , , , , , , .

History: MPG150N10P

 

 
Back to Top

 


 
.