MPT035N08S Todos los transistores

 

MPT035N08S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPT035N08S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1181 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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MPT035N08S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:826K  cn minos
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MPT035N08S

85V N-Channel Power MOSFETDescriptionMPT035N08,the N-channel Enhanced Power MOSFETs,Is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss,improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable devicefor BMS and high current switching applications.General Features V =85V, R

 9.1. Size:848K  cn minos
 mpt037n08p mpt037n08s.pdf pdf_icon

MPT035N08S

85V N-Channel Power MOSFEDescriptionMPT037N08,the N-channel Enhanced Power MOSFETs,is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss,improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable devicefor BMS and high current switching applications.General Features V =85V, R

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History: MPT035N08P | MDU2511SVRH

 

 
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