MPT035N08S - аналоги и даташиты транзистора

 

MPT035N08S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPT035N08S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1181 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для MPT035N08S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPT035N08S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:826K  cn minos
mpt035n08p mpt035n08s.pdfpdf_icon

MPT035N08S

85V N-Channel Power MOSFETDescriptionMPT035N08,the N-channel Enhanced Power MOSFETs,Is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss,improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable devicefor BMS and high current switching applications.General Features V =85V, R

Другие MOSFET... MPF10N65 , MPG08N68P , MPG08N68S , MPG120N06P , MPG120N06S , MPG150N10P , MPG150N10S , MPT035N08P , AON7506 , , , , , , , , .

History: IRF8304M | MPT035N08P

 

 
Back to Top

 


 
.