MDT40P10D Todos los transistores

 

MDT40P10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT40P10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MDT40P10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  cn minos
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MDT40P10D

Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MDT40P10D uses advanced technology and design to provideexcellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS= -100V, ID=-40A Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitancesSchematic diagram 100% Single Pulse avalanche energy TestApplication Power switching application

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MDT40P10D

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MDT40N10D uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON)in a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 40A R

 9.2. Size:1035K  cn minos
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MDT40P10D

60V N-Channel Power MOSFEDescriptionThe MDT60N06 uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge. It canbe used in a wide variety of applications.General Features V =60V, R

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History: MPT035N08P | MD40N50 | MP5N50

 

 
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