MDT40P10D - описание и поиск аналогов

 

MDT40P10D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDT40P10D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для MDT40P10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT40P10D даташит

 ..1. Size:250K  cn minos
 mdt40p10d.pdf pdf_icon

MDT40P10D

Silicon P-Channel Power MOSFET Description The MDT40P10D uses advanced technology and design to provide excellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS= -100V, ID=-40A Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances Schematic diagram 100% Single Pulse avalanche energy Test Application Power switching application

 9.1. Size:928K  cn minos
 mdt40n10d.pdf pdf_icon

MDT40P10D

100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MDT40N10D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used DS(ON) in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 40A R

 9.2. Size:1035K  cn minos
 mdt40n06d.pdf pdf_icon

MDT40P10D

60V N-Channel Power MOSFE Description The MDT60N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V, R

Другие MOSFET... MPG150N10P , MPG150N10S , MPT035N08P , MPT035N08S , FTP06N06N , MD40N50 , MD50N50 , MDT35P10D , AON7506 , MDT80N06D , MP13N50 , MP5N50 , MPF4N65 , MPF7N65 , MPG100N03P , MPG100N06 , MDT100N06 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.