MDT40P10D - аналоги и даташиты транзистора

 

MDT40P10D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDT40P10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MDT40P10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT40P10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  cn minos
 mdt40p10d.pdf pdf_icon

MDT40P10D

Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MDT40P10D uses advanced technology and design to provideexcellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS= -100V, ID=-40A Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitancesSchematic diagram 100% Single Pulse avalanche energy TestApplication Power switching application

 9.1. Size:928K  cn minos
 mdt40n10d.pdf pdf_icon

MDT40P10D

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MDT40N10D uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON)in a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 40A R

 9.2. Size:1035K  cn minos
 mdt40n06d.pdf pdf_icon

MDT40P10D

60V N-Channel Power MOSFEDescriptionThe MDT60N06 uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge. It canbe used in a wide variety of applications.General Features V =60V, R

Другие MOSFET... MPG150N10P , MPG150N10S , MPT035N08P , MPT035N08S , FTP06N06N , MD40N50 , MD50N50 , MDT35P10D , AON7506 , MDT80N06D , MP13N50 , MP5N50 , MPF4N65 , MPF7N65 , MPG100N03P , MPG100N06 , MDT100N06 .

History: VB1695 | IRFB3207ZPBF

 

 
Back to Top

 


 
.