MPF4N65 Todos los transistores

 

MPF4N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPF4N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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MPF4N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  cn minos
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MPF4N65

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPF4N65 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON)with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications.General Features V =4AI =650VDS D R =2@V =10V,I =2ADS(on)(typ) GS DSchematic diagram Low Crss:4.5pF@25V Fast switching Improved dv/dt capabilityApplication

 0.1. Size:608K  trinnotech
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MPF4N65

TMP4N65AZ(G)/TMPF4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 0.2. Size:624K  trinnotech
 tmp4n65 tmpf4n65.pdf pdf_icon

MPF4N65

TMP4N65(G)/TMPF4N65(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 0.3. Size:628K  trinnotech
 tmp4n65z tmpf4n65z.pdf pdf_icon

MPF4N65

TMP4N65Z(G)/TMPF4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

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