MPF4N65 - аналоги и даташиты транзистора

 

MPF4N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPF4N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для MPF4N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF4N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  cn minos
 mpf4n65.pdf pdf_icon

MPF4N65

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPF4N65 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON)with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications.General Features V =4AI =650VDS D R =2@V =10V,I =2ADS(on)(typ) GS DSchematic diagram Low Crss:4.5pF@25V Fast switching Improved dv/dt capabilityApplication

 0.1. Size:608K  trinnotech
 tmp4n65az tmpf4n65az.pdf pdf_icon

MPF4N65

TMP4N65AZ(G)/TMPF4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 0.2. Size:624K  trinnotech
 tmp4n65 tmpf4n65.pdf pdf_icon

MPF4N65

TMP4N65(G)/TMPF4N65(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 0.3. Size:628K  trinnotech
 tmp4n65z tmpf4n65z.pdf pdf_icon

MPF4N65

TMP4N65Z(G)/TMPF4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FTP06N06N , MD40N50 , MD50N50 , MDT35P10D , MDT40P10D , MDT80N06D , MP13N50 , MP5N50 , IRFP450 , MPF7N65 , MPG100N03P , MPG100N06 , MDT100N06 , MPS100N06 , MPG160N04P , MPG30P10P , MPG40P10P .

 

 
Back to Top

 


 
.