MPF4N65 - аналоги и даташиты транзистора

 

MPF4N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPF4N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для MPF4N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF4N65 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:608K  trinnotech
 tmp4n65az tmpf4n65az.pdf pdf_icon

MPF4N65

TMP4N65AZ(G)/TMPF4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 0.2. Size:624K  trinnotech
 tmp4n65 tmpf4n65.pdf pdf_icon

MPF4N65

TMP4N65(G)/TMPF4N65(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 0.3. Size:628K  trinnotech
 tmp4n65z tmpf4n65z.pdf pdf_icon

MPF4N65

TMP4N65Z(G)/TMPF4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 0.4. Size:384K  jiejie micro
 jmpf4n65bj.pdf pdf_icon

MPF4N65

JMPF4N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 4A Load SwitchRDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FTP06N06N , MD40N50 , MD50N50 , MDT35P10D , MDT40P10D , MDT80N06D , MP13N50 , MP5N50 , P60NF06 , MPF7N65 , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.