MPF4N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPF4N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPF4N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF4N65 даташит

 ..1. Size:485K  cn minos
 mpf4n65.pdf pdf_icon

MPF4N65

Silicon N-Channel Power MOSFET Description The MPF4N65 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features V =4A I =650V DS D R =2 @V =10V,I =2A DS(on)(typ) GS D Schematic diagram Low Crss 4.5pF@25V Fast switching Improved dv/dt capability Application

 0.1. Size:608K  trinnotech
 tmp4n65az tmpf4n65az.pdf pdf_icon

MPF4N65

TMP4N65AZ(G)/TMPF4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 0.2. Size:624K  trinnotech
 tmp4n65 tmpf4n65.pdf pdf_icon

MPF4N65

TMP4N65(G)/TMPF4N65(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 0.3. Size:628K  trinnotech
 tmp4n65z tmpf4n65z.pdf pdf_icon

MPF4N65

TMP4N65Z(G)/TMPF4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FTP06N06N, MD40N50, MD50N50, MDT35P10D, MDT40P10D, MDT80N06D, MP13N50, MP5N50, AO4407, MPF7N65, MPG100N03P, MPG100N06, MDT100N06, MPS100N06, MPG160N04P, MPG30P10P, MPG40P10P