MPF7N65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPF7N65  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm

Encapsulados: TO220F

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MPF7N65 datasheet

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MPF7N65

Silicon N-Channel Power MOSFET Description The MPF7N65 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features V =7A I =650V DS D R =1.1 @V =10V,I =3.5A DS(on)(typ) GS D Schematic diagram Low Crss 10pF@25V Fast switching Improved dv/dt capability Applicati

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MPF7N65

TMP7N65AZ(G)/TMPF7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 0.2. Size:616K  trinnotech
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MPF7N65

TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A

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MPF7N65

JMPF7N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 7A Load Switch RDS(ON)

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