MPF7N65 Todos los transistores

 

MPF7N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPF7N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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MPF7N65 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:615K  trinnotech
 tmp7n65az tmpf7n65az.pdf pdf_icon

MPF7N65

TMP7N65AZ(G)/TMPF7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 0.2. Size:616K  trinnotech
 tmp7n65z tmpf7n65z.pdf pdf_icon

MPF7N65

TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A

 0.3. Size:632K  jiejie micro
 jmpf7n65bj.pdf pdf_icon

MPF7N65

JMPF7N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 7A Load SwitchRDS(ON)

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History: PZ5G7EA | 2N7394U

 

 
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