MPF7N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPF7N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MPF7N65 MOSFET
MPF7N65 Datasheet (PDF)
mpf7n65.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPF7N65 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON)with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications.General Features V =7AI =650VDS D R =1.1@V =10V,I =3.5ADS(on)(typ) GS DSchematic diagram Low Crss:10pF@25V Fast switching Improved dv/dt capabilityApplicati
tmp7n65az tmpf7n65az.pdf
TMP7N65AZ(G)/TMPF7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A
tmp7n65z tmpf7n65z.pdf
TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A
jmpf7n65bj.pdf
JMPF7N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 7A Load SwitchRDS(ON)
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History: SIHFPC60 | SIHFPF40 | SIHFPF30
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Liste
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