MPF7N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPF7N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPF7N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF7N65 даташит

 ..1. Size:494K  cn minos
 mpf7n65.pdf pdf_icon

MPF7N65

Silicon N-Channel Power MOSFET Description The MPF7N65 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features V =7A I =650V DS D R =1.1 @V =10V,I =3.5A DS(on)(typ) GS D Schematic diagram Low Crss 10pF@25V Fast switching Improved dv/dt capability Applicati

 0.1. Size:615K  trinnotech
 tmp7n65az tmpf7n65az.pdf pdf_icon

MPF7N65

TMP7N65AZ(G)/TMPF7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 0.2. Size:616K  trinnotech
 tmp7n65z tmpf7n65z.pdf pdf_icon

MPF7N65

TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A

 0.3. Size:632K  jiejie micro
 jmpf7n65bj.pdf pdf_icon

MPF7N65

JMPF7N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 7A Load Switch RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MD40N50, MD50N50, MDT35P10D, MDT40P10D, MDT80N06D, MP13N50, MP5N50, MPF4N65, BS170, MPG100N03P, MPG100N06, MDT100N06, MPS100N06, MPG160N04P, MPG30P10P, MPG40P10P, MPG50N06P