MDT100N06 Todos los transistores

 

MDT100N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT100N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 143 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MDT100N06 Datasheet (PDF)

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mpg100n06 mdt100n06 mps100n06.pdf pdf_icon

MDT100N06

Green ProductMPG100N0660VN-Channel Power MOSFETDESCRIPTION KEYCHARACTERISTICS V =60V,I =100ADS DThe MPG100N06 uses advanced trench technology to provide R

Otros transistores... MDT40P10D , MDT80N06D , MP13N50 , MP5N50 , MPF4N65 , MPF7N65 , MPG100N03P , MPG100N06 , RFP50N06 , MPS100N06 , MPG160N04P , MPG30P10P , MPG40P10P , MPG50N06P , MPG55N06P , MPT028N10S , MPT037N08P .

History: BSC100N10NSFG

 

 
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