MDT100N06 - аналоги и даташиты транзистора

 

MDT100N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDT100N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MDT100N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT100N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  cn minos
 mpg100n06 mdt100n06 mps100n06.pdf pdf_icon

MDT100N06

Green ProductMPG100N0660VN-Channel Power MOSFETDESCRIPTION KEYCHARACTERISTICS V =60V,I =100ADS DThe MPG100N06 uses advanced trench technology to provide R

Другие MOSFET... MDT40P10D , MDT80N06D , MP13N50 , MP5N50 , MPF4N65 , MPF7N65 , MPG100N03P , MPG100N06 , RFP50N06 , MPS100N06 , MPG160N04P , MPG30P10P , MPG40P10P , MPG50N06P , MPG55N06P , MPT028N10S , MPT037N08P .

 

 
Back to Top

 


 
.