MDT100N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDT100N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDT100N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT100N06 даташит

 ..1. Size:222K  cn minos
 mpg100n06 mdt100n06 mps100n06.pdf pdf_icon

MDT100N06

Green Product MPG100N06 60VN-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEYCHARACTERISTICS V =60V,I =100A DS D The MPG100N06 uses advanced trench technology to provide R

Другие IGBT... MDT40P10D, MDT80N06D, MP13N50, MP5N50, MPF4N65, MPF7N65, MPG100N03P, MPG100N06, IRF1407, MPS100N06, MPG160N04P, MPG30P10P, MPG40P10P, MPG50N06P, MPG55N06P, MPT028N10S, MPT037N08P