MPG160N04P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPG160N04P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: TO220

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MPG160N04P datasheet

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MPG160N04P

Silicon N-Channel Power MOSFET Description The MPG160N04 uses advanced technology and design to provide excellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS=40V, Rdson

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